(디지털 공학) 4-2 논리게이트와 내부회로

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디지털 공학 개론 - 논리게이트의 내부회로

1. 논리게이트에 구현되는 트랜지스터와 부품의 종류

1) 논리게이트의 구성

  • 논리게이트는 전자회로 소자들(트랜지스터, 다이오드,저항, 등)을 이용하여 반도체 칩에 제조

(1) 구현에 사용되는 소자들에 따른 계열 분류

  • RTL(Resistor-Transistor Logic)
  • DTL(Diode-Transistor Logic)
  • TTL(Transistor-Transistor Logic)
  • MOSFET(Metal-Oxide Semiconducotr Field-Effect Transistor)
  • CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)

2) 트랜지스터(transistor)

(1) 종류

  • NPN 트랜지스터
  • PNP 트랜지스터

(2) 입출력단자

  • 콜렉터(collector: C) - 전원공급
  • 에미터(emitter: E) - 접지
  • 베이스(base: B) - 스위칭

3) NPN 트랜지스터의 그래픽 기호 및 스위칭 회로

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2. RTL과 DTL, TTL 게이트 화로

  • RTL,DTL 반도체 개발 초기에 사용 - 현재 거의 사용 X

1) RTL 스위칭 회로

(1) RTL 스위칭 회로

  • 저항(resistor) 및 NPN트랜지스터로 구현

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  • 인버터(NOR 게이트) 기능 수행

(2) NAND 게이트의 RTL 구현

  • 두개의 NPN 트랜지스터를 직렬로 접속하여 구성
  • 입력단 트랜지스터 회로 추가 하면 3 - 입력 NAND 게이트
  • 출력단에 스위칭 회로 접속하면 - AND 게이트 (NAND + NOT) -> AND

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(3) NAND 게이트 화로

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(4) NOR 게이트의 RTL 구현

  • 두개의 NPN 트랜지스터를 벙렬로 접속하여 구성
  • 입력단 트랜지스터 회로 추가하면 3 - 입력 NOR 게이트
  • 출력단에 스위칭 회로 접속 - OR 게이트 (NOR + NOT) -> OR

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(5) NOR 게이트 화로

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2) DTL 게이트 회로

  • 다이오드(diode)와 트랜지스터를 이용하여 구현

(1) 다이오드의 특성

  • 애노드(anode: A)(+극)와 캐소드(cathode: C)(-극)로 구성
  • 애노드와 캐소드 간의 전압(V ac)이 정방향(애노트 측의 전압이 더 높음)으로 걸리면
    전류가 흐름(전도상태)
  • Vac가 0V 혹은 역방향(애노드 측 전압이 더 낮음)으로 걸리면 전류가 흐르지 못함(차단 상태)

(2) 다이오드 그래픽 회로

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(3) DTL NAND 게이트 회로

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3) TTL 게이트 회로

  • 회로 안정성 향상을 위하여 트랜지스터들만으로 회로 구현
  • 소규모 반도체 IC(SSI) 칩으로 제조

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(1) 표준 TTL 게이트 IC칩의 특성

  • 유형에 따른 칩 번호, 전력 소모량, 속도
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  • NAND 게이트 - 7400
  • AND 게이트 - 7408
  • OR 게이트 - 7432

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